隐藏-GaN Category Archive

• 射频技术GaN最新动态追踪

  2021年01月14日作者: Peter McNeil

  氮化镓（GaN）基半导体已经投入商用好多年了。GaN技术已大规模进军许多电力电子设备应用，更日益深入射频/微波/毫米波应用。作为一种半导体，GaN具有高电子移动性和高带隙基准源的特性，它非常坚固，并且可以通过分层和外延生长（绝缘体技术半导体）在多种技术中实现应用。其中就包括碳化硅GaN（GaN-on-SiC）、硅GaN（GaN-On-Si）、GaN-On-GaN，甚至是钻石GaN。这些各种各样的绝缘基底展示出一系列性能、可靠性、功率密度，也显示出价格和其他制造/设计问题。因此，GaN技术能够满足大量应用的需求。… 阅读全文

• 针对射频及微波应用的GaN新进展

  2019年05月30日作者: Peter McNeil

  多种预测表明，已然大幅增长的射频氮化镓（RF GaN）工业将能够在未来几年中继续保持这种增长势头。预测估计，到2023[1、2]年，目前将近4亿美元的射频氮化镓（RF GaN）市场（2017年止）有望达到或超过10亿美元。国防工业在2017年大约消耗三分之一的射频氮化镓（RF GaN）设备，其余三分之二的氮化镓（GaN）设备可能会用于无线基础设施和航空电子雷达/通信设备，在这其中的大部分最为可能用于蜂窝应用。涉及氮化镓（GaN）的设备包括有氮化镓基低噪声放大器（LNA）、混频器、滤波器等射频组件及设备，然而大多数射频氮化镓（RF… 阅读全文