大功率放大器应用介绍：AB类大功率放大器

AB类放大器是一种常用的放大器设计，用于高功率射频应用以及要求高功率增益和最小信号失真的其他应用。主要特点是AB类放大器经过偏置，因此输出电流流过的时间少于输入波形的一个完整周期，但超过波形的一半。AB放大器设计允许互补输出级中的多个开关晶体管在负载组合之前传导输入波形的负半周期。与B类放大器设计一样，这一设计可以将交叉失真最小化，因为在零交叉周期内，每个输出晶体管在每个周期都导通较短的时间。因此，AB类放大器的导通角大于180度且小于360度。

这种设计的好处是AB类放大器的效率比A类放大器大得多，虽然效率较低，但是也可以提供比B类放大器更好的信号质量。借助良好的偏置控制，在AB类配置中可以将与部分传导放大器相关的失真降至最低。

在射频放大的情况下，可以设计效率极高的AB类放大器，它们具有极宽的带宽、高增益和高饱和输出功率水平。AB类高功率放大器（HPA）可以提高至18 GHz，其饱和功率输出电平可以达到10瓦至200瓦。根据技术的不同，可用的AB类高功率放大器（HPA）可以达到40％的功率附加效率（PAE）。这些类型的放大器的功率电平增益的范围为37分贝至53分贝。此外，这些放大器通常还具有直流偏置控制功能，有时由TTL逻辑控制。新增的功能包括电流和温度感应功能，可以实现更好的偏置补偿和监测，而散热器附件可以添加冷却风扇，可以实现更好的热管理。

有几种常见的半导体技术可用于制造AB类高功率放大器（HPA）：垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）、横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）和氮化镓（GaN）晶体管。本质上，用于AB类高功率放大器（HPA）的半导体技术的类型取决于放大器的频率范围。垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）高功率放大器（HPA）通常在几百兆赫兹以下有效运行，而横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）高功率放大器（HPA）在几千赫兹时有效运行，但通常在1千赫兹以下效率更高。另一方面，氮化镓（GaN）高功率放大器（HPA）可以设计用于数十千赫兹的应用，即使在更高的频率下也具有极高的效率和增益。

根据放大器的功率和频率，高功率放大器（HPA）还具有各种同轴连接器样式。对于运行到几兆赫兹的高功率放大器（HPA）来说，SMA型和N型连接器都是常见的，而N型连接器能够处理比SMA型连接器更高的功率。但是，对于超过10 GHz且功率低于200瓦的更高频率的应用来说，SMA型连接器是最常用的同轴连接器。

了解有关Pasternack的高功率AB类放大器产品线的更多信息