射频/微波基板及基底材料简介
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Pasternack博客

射频/微波基板及基底材料简介

术语“基板”可能会在某种程度上混淆射频/微波设备、组件和应用的上下文。基板通常可以是用于显影半导体或薄膜(厚膜或薄膜电路或组件)的绝缘材料,也可以是印刷电路板(PCBs)的结构材料。这些电绝缘材料是几乎所有射频/微波电子设备的基础,因此在设备、组件、集成电路、印刷电路板、组件和大多数射频/微波系统的构建中至关重要。

然而,一般来说,当提到射频/微波基板时,有硬基板或软基板。硬基板也称为基底材料,是用于开发半导体、器件、组件或薄膜的某种陶瓷或绝缘体,但也可用于制造更大的器件,如放大器托盘。软基板,或简称微波基板,通常是用于开发射频/微波印刷电路板的材料。

关键参数

不管名称如何,射频/微波基板均具有几个关键的电气和机械特性,这些特性决定了它们在特定应用中的适用性。这包括介电性能、耗散(损耗角正切)、表面的物理粗糙度、热导率以及绝缘材料承受高电压的能力(介电强度)。重要的是要注意,某些材料,如氮化镓、蓝宝石和二氧化钛是电各向异性的,这意味着材料的介电常数取决于电场相对于材料3D矩阵的晶体轴的确切方向。这可以是平行的(∥)或者垂直的(⟂)。

介电常数

介电常数或者相对介电常数,是相对于室温下空气的介电性能的量度。介电常数决定了穿过材料的电场行为,并且是频率的函数。对于高频应用,低电介质是比较理想的,因为这样可以最大限度地减少走线和导电结构之间产生的寄生电容。这个因素也决定了平面结构的几何形状,如微带线、带状线传输线和天线。因此,可以在具有较低介电常数值的材料上形成更紧凑的结构。

损耗角正切

介电损耗角正切,或称耗散因子,是材料内部吸收并作为热量耗散的电磁能量的量度。可以理解,具有低损耗正切的材料对于高性能和高功率应用是理想的,因为这将使传输线内或沿结构的损耗量最小化。材料的损耗角正切也是频率的函数。

表面粗糙度

材料的表面粗糙度是衡量表面光滑程度的标准。对于某些应用,需要精确的表面粗糙度,如果表面太光滑或太粗糙,都会导致材料性能下降。这通常与沉积在材料上的层的粘附特性和分辨率有关。

导热性

导热率是衡量一种材料通过其体积传导热量的能力。对于大功率应用,这是一个极其重要的特性,因为基板通常用于分离功率器件和散热器的导电基底。在这些情况下,导热性差的基板可能会大大降低叠层的整体导热性,并限制器件的性能。

介电强度

该参数是开始从电介质材料剥离电子器件所需的电场强度的标准。对于高电压和高功率应用,这是一个重要参数,因为这可能是器件工作的限制因素。

常见的射频和微波基板和基底材料(硬基片和软基片)的介电和材料特性

 

材料 10 GHz时的介电常数 10 GHz时的损耗角正切(10e4 tan) 表面粗糙度(um) 热导率 介电强度(kV/cm) 软基底

或硬基底

(W/mK)
氧化铝(Al2O3) 9.9 1-2 0.05-0.25 30-37 4000 硬基底
氮化铝 8.9 3-5 0.05-0.6 150-170 150 硬基底
氧化铍(BeO) 6.6 1 0.05-1.25 250-330 100-140 硬基底
砷化镓(GaAs) 12.85 6 0.025 30 350 硬基底
氮化镓 9.5/10.4 0.025 66-225 4000 硬基底
玻璃(典型) 4-7 1 0.025 0.8-1.2 350 硬基底
铁氧体/石榴石 13-16 2 0.25 3 120 硬基底
磷化铟(InP) 12.4 10 0.025 40 350 硬基底
石英 308 1 < 0.001 2 200-400 硬基底
低温冷烧陶瓷(LTCC) 7.8 15 0.22 30 400 硬基底
蓝宝石 9.0/11.6 0.4-0.7 < 0.001 23-25 4×10^3 硬基底
硅(Si) 11.9 10-100 < 0.001 100-150 300 硬基底
碳化硅(SiC) 10.8 20 < 0.001 120-200 2.5×10^3 硬基底
二氧化钛(TiO2) 90/170 18295 0.25-2.5 7.4/10.4 40-80 硬基底
Duroid 5870 2.33 12 0.26 软基底
Duroid 5880 2.2 12 0.26 软基底
Duroid 6002 2.94 12 0.44 软基底
Duroid 6010 10.2-10.8 27 0.48 软基底
Duroid R/flex 3700 2 20 软基底
Duroid RO3003 3 13 0.5 软基底
Duroid RO3006 6.15 25 0.61 软基底
Duroid RO3010 10.2 35 0.66 软基底
Duroid RO4003 3.38 27 0.64 软基底
Duroid RO4350B 3.48 40 0.62 软基底
TMM 3 3.27 20 0.7 软基底
TMM 4 4.5 20 0.7 软基底
TMM 6 6 23 0.72 软基底
TMM 10 9.2 22 0.76 软基底
TMM 10i 9.8 20 0.76 软基底
CuFlon 3.05 30 . 025 软基底
CLTE 2.94 0.0025 0.5 软基底
FR-4 4.5-4.8 220 ~6 0.16 软基底
N7000-l 2.94 0.0025 0.25<=Tc<=0.5 软基底
Norclad 3.8 11 0.23 软基底
聚酰亚胺 2.3-13.4 50 0.04-1.7 软基底
聚四氟乙烯(特氟龙) 3.05 30 0.25 软基底
TacLamPlus 2.1 0.0004 0.25 软基底